კერამიკული აცვიათ ფირფიტები აგრესიული აბრაზიისთვის

სილიკონის კარბიდი (SiC)

სილიციუმის კარბიდი წარმოიქმნება ორი გზით, რეაქტიული შემაკავშირებელი და აგლომერაციის გზით.ფორმირების თითოეული მეთოდი დიდ გავლენას ახდენს ბოლო მიკროსტრუქტურაზე.

რეაქციაში შეკრული SiC მზადდება SiC-ისა და ნახშირბადის ნარევებისგან დამზადებული კომპაქტების ინფილტრაციით თხევადი სილიკონით.სილიციუმი რეაგირებს ნახშირბადთან, აყალიბებს მეტ SiC-ს, რომელიც აკავშირებს საწყის SiC ნაწილაკებს.

აგლომერირებული SiC იწარმოება სუფთა SiC ფხვნილისაგან არაოქსიდური აგლომერაციის საშუალებებით.გამოიყენება ჩვეულებრივი კერამიკული ფორმირების პროცესები და მასალა აგლომერდება ინერტულ ატმოსფეროში 2000ºC ან უფრო მაღალ ტემპერატურაზე.

სილიციუმის კარბიდის ორივე ფორმა (SiC) ძალიან მდგრადია აცვიათ კარგი მექანიკური თვისებებით, მათ შორის მაღალი ტემპერატურის სიმტკიცე და თერმული შოკის წინააღმდეგობა.ჩვენი ინჟინრები ყოველთვის მზად არიან საუკეთესო რჩევისთვის გაგიწიონ თითოეული კერამიკის ძლიერი და სუსტი მხარეები თქვენი კონკრეტული საჭიროებისთვის.

სილიციუმის კარბიდის ტიპიური მახასიათებლები მოიცავს:

• დაბალი სიმკვრივე

• მაღალი სიმტკიცე

• კარგი მაღალი ტემპერატურის სიძლიერე (რეაქციის შეკვრა)

• ჟანგვის წინააღმდეგობა (რეაქცია შეკრული)

• შესანიშნავი თერმული შოკის წინააღმდეგობა

• მაღალი სიხისტე და აცვიათ წინააღმდეგობა

• შესანიშნავი ქიმიური წინააღმდეგობა

• დაბალი თერმული გაფართოება და მაღალი თბოგამტარობა

სილიციუმის კარბიდის ტიპიური აპლიკაციები მოიცავს:

• ტურბინის ფიქსირებული და მოძრავი კომპონენტები

• ლუქები, საკისრები, ტუმბოს ფარდები

• ბურთიანი სარქვლის ნაწილები

• თეფშების ტარება

• ღუმელის ავეჯი

• სითბოს გადამცვლელები

• ნახევარგამტარული ვაფლის დამუშავების მოწყობილობა

დამატებითი ინფორმაციისთვის ჩვენი სილიციუმის კარბიდის შესახებ და როგორ შეიძლება მისი გამოყენება თქვენი პროდუქტისთვის, დაგვიკავშირდით დღეს